IRFP260MPBF - Infineon Technologies

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Kynix Teil #: KY13-IRFP260MPBF
Hersteller Teil #: IRFP260MPBF
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
12 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
300W Tc
Turn Off Delay Time  
55 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
HEXFET®
Published  
2010
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
MATTE TIN OVER NICKEL
Additional Feature  
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
250
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
300W
Turn On Delay Time  
17 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
40m Ω @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
4057pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
234nC @ 10V
Rise Time  
60ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
48 ns
Continuous Drain Current (ID)  
50A
Threshold Voltage  
4V
JEDEC-95 Code  
TO-247AC
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain-source On Resistance-Max  
0.04Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
200V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
200A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
560 mJ
Height  
21.1mm
Length  
16.129mm
Width  
5.2mm
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:IRFP260MPBF Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
IRFP260MPBF TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
IRFP4227PBF TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
IRFP260NPBF TO-247-3 Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs /-20V
IRFP250MPBF TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
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Häufig gestellte Fragen

What do HEXFETs use advanced processing techniques to achieve?

low on-resistance per silicon area

What is an example of a ruggedized device design that provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications

HEXFET Power MOSFETs

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 26000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.84119
Menge. Stückpreis
1+: $2.84119
10+: $2.68037
100+: $2.52865
500+: $2.38552
1000+: $2.25049
Zwischensumme: $2.84119

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